- Модель продукта SI7850DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 10.3A, 10V
- Материал феррулы 1.8W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 27 nC @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 6997
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Инвентаризация: 4624
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9769
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Инвентаризация: 38689
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 10295
DIODE ZENER 15V 500MW SOD123
Инвентаризация: 41164
