- Модель продукта SI7370DP-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8497
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 1.9W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 57 nC @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Инвентаризация: 3543
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3979
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Инвентаризация: 49732
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9769
