Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W
• Внутренняя отделка контактов 12V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A
• Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
• Тип симистора 52nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1V @ 350µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC