Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W
• Внутренняя отделка контактов 12V
• Толщина внешнего контактного покрытия 9.2A
• Глубина 3450pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
• Тип симистора 57nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 900mV @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO