Инвентаризация:6457

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 13.7A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 56 nC @ 4.5 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO

Инвентаризация: 14445

MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO

Инвентаризация: 19957

Top