- Модель продукта SI4463BDY-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15945
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 13.7A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Ta)
- Барьерный тип 1.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 56 nC @ 4.5 V