- Модель продукта ALD1115PAL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1532
Технические детали
- Тип монтажа 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Количество витков Through Hole
- Скорость N and P-Channel Complementary
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW
- Внутренняя отделка контактов 10.6V
- Глубина 3pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 1800Ohm @ 5V
- Барьерный тип 1V @ 1µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 1
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 3
COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 3240
