- Модель продукта ALD1105PBL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Количество витков Through Hole
- Скорость 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW
- Внутренняя отделка контактов 10.6V
- Глубина 3pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 500Ohm @ 5V
- Барьерный тип 1V @ 1µA
- Максимальное переменное напряжение 14-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 1
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
Инвентаризация: 43
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 3
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 3
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
Инвентаризация: 41
MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
Инвентаризация: 32
