- Модель продукта FDS86106
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5339
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 3.4A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 4 nC @ 10 V
- 208 pF @ 50 V