Инвентаризация:23388

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 6.6mOhm @ 16A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 2.4V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 92 nC @ 10 V
  • 2820 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333

Инвентаризация: 17007

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

Инвентаризация: 1286

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO

Инвентаризация: 9540

Top