- Модель продукта IPI076N12N3GAKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1998
Технические детали
- Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.6mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 188W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 130µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO262-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 101 nC @ 10 V
- 6640 pF @ 60 V