Инвентаризация:1998

Технические детали

  • Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.6mOhm @ 100A, 10V
  • Материал феррулы 188W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 130µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO262-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 101 nC @ 10 V
  • 6640 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Инвентаризация: 270

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Инвентаризация: 251

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

Инвентаризация: 1168

Top