- Модель продукта IPI086N10N3GXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1770
Технические детали
- Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.6mOhm @ 73A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 75µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO262-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 55 nC @ 10 V
- 3980 pF @ 50 V