Технические детали

• Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta)
• Глубина 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V
• Тип симистора 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение TSMT8