Инвентаризация:5850

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.17W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.5A
  • Глубина 798pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 9A, 10V
  • Тип симистора 8.56nC @ 5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.6V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO

Инвентаризация: 113489

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Инвентаризация: 13599

Top