Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 20A, 12V
  • Материал феррулы 254.2W (Tc)
  • Барьерный тип 6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 12V
  • Шаг Количество ±25V
  • 1200 V
  • 46 nC @ 15 V
  • 1500 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

Инвентаризация: 222

SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 75424

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

Инвентаризация: 1910

Top