Инвентаризация:6215

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta), 637A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.45mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 333W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 1.449mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-9
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 172 nC @ 10 V
  • 12000 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET_(20V 40V)

Инвентаризация: 4457

TRENCH <= 40V

Инвентаризация: 4900

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 7686

MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW

Инвентаризация: 1419

Top