- Модель продукта HP8KC6TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание 60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:4000
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3W (Ta), 21W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.5A (Ta), 23A (Tc)
- Глубина 460pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 8.5A, 10V
- Тип симистора 7.6nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP