- Модель продукта HT8KC5TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS No
- Описание 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:4500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta), 13W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.5A (Ta), 10A (Tc)
- Глубина 135pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 3.5A, 10V
- Тип симистора 3.1nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)