Инвентаризация:3153

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 700mW, 900mW
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A, 12A
  • Глубина 660pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 10nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

Инвентаризация: 5348

IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8

Инвентаризация: 0

IC CLK BUFFER 1:1 SC88

Инвентаризация: 6496

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

Инвентаризация: 76377

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3

Инвентаризация: 42903

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Инвентаризация: 8873

Top