Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 750mW
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.8A
• Глубина 465pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 4.8A, 10V
• Тип симистора 5.6nC @ 5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-MLP, MicroFET (3x1.9)