- Модель продукта IRF7341TRPBFXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:6997
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 55V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Глубина 740pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4.7A, 10V
- Тип симистора 36nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PG-DSO-8-902