Инвентаризация:6997

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 55V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
  • Глубина 740pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 4.7A, 10V
  • Тип симистора 36nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-DSO-8-902

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

Инвентаризация: 3995

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902

Инвентаризация: 6698

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO

Инвентаризация: 7879

Top