Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.4W
• Внутренняя отделка контактов 55V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A
• Глубина 780pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 5.1A, 10V
• Тип симистора 44nC @ 10V
• Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
• Максимальное переменное напряжение 8-SO