Инвентаризация:13418

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.4A (Ta), 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 156W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 110µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-1
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 44 nC @ 10 V
  • 2900 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 80A TDSON

Инвентаризация: 38158

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Инвентаризация: 4993

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Инвентаризация: 8207

MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON

Инвентаризация: 27796

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Инвентаризация: 7726

MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88

Инвентаризация: 2955

MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

Инвентаризация: 10523

Top