Инвентаризация:7580

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 93µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-1
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 130 nC @ 10 V
  • 11000 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100A TDSON

Инвентаризация: 11563

MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Инвентаризация: 13092

MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Инвентаризация: 26162

MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8

Инвентаризация: 11611

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Инвентаризация: 2020

Top