Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 9-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 42A (Ta), 447A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.86mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 333W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 163µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TTFN-9-U02
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 152 nC @ 10 V
  • 14000 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Инвентаризация: 296500

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 8967

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 4660

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4831

MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8

Инвентаризация: 2773

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Инвентаризация: 5695

Top