- Модель продукта GPI65030TO5L
- Бренд GaNPower
- RoHS Yes
- Описание GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1586
Технические детали
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A
- Барьерный тип 1.4V @ 3.5mA
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7.5V, -12V
- 650 V
- 5.8 nC @ 6 V
- 241 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
Инвентаризация: 990
GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
Инвентаризация: 180
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Инвентаризация: 100
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
