- Модель продукта GPI65007DF56
- Бренд GaNPower
- RoHS Yes
- Описание GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1540
Технические детали
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A
- Барьерный тип 1.5V @ 3.5mA
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7.5V, -12V
- 650 V
- 2.1 nC @ 6 V
- 76.1 pF @ 400 V