Инвентаризация:49523

Технические детали

  • Тип монтажа 3-SMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 3A, 4.5V
  • Материал феррулы 800mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TUMT3
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 12 V
  • 18 nC @ 4.5 V
  • 1860 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3

Инвентаризация: 18988

MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3

Инвентаризация: 12524

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

Инвентаризация: 4965

MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3

Инвентаризация: 654102

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

Инвентаризация: 9823

MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

Инвентаризация: 11200

Top