Инвентаризация:14024

Технические детали

  • Тип монтажа 3-SMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 460mOhm @ 1A, 10V
  • Материал феррулы 800mW (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TUMT3
  • Длина ремня 4V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 45 V
  • 2.3 nC @ 5 V
  • 160 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 4892

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7802

MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

Инвентаризация: 9823

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

Инвентаризация: 126351

Top