- Модель продукта SI7858ADP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7332
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
- Материал феррулы 1.9W (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 80 nC @ 4.5 V
- 5700 pF @ 6 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Инвентаризация: 10715
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 13008
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3284
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5050
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3986
