Инвентаризация:68192

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.3W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A
  • Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 4.8A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33

Инвентаризация: 4547

DIODE ZENER 3.5V 1W PMDU

Инвентаризация: 14165

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Инвентаризация: 8078

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 12457

Top