- Модель продукта SI5418DU-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2652
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® ChipFET™ Single
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Ta), 31W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® ChipFET™ Single
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 30 nC @ 10 V
- 1350 pF @ 15 V