- Модель продукта MRF6V10010NR4
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PLD-1.5
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 1.09GHz
- Общее сопротивление 10W
- Площадь (Д x Ш) 25dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение PLD-1.5
- Длина ножки 100 V
- 50 V
- 10 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W
Инвентаризация: 2202
RF MOSFET LDMOS 32V SOT1482-1
Инвентаризация: 0
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
Инвентаризация: 1459
RF MOSFET HEMT 28V DIE
Инвентаризация: 46
RF MOSFET HEMT 28V 440166
Инвентаризация: 1704
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Инвентаризация: 121
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Инвентаризация: 80
