- Модель продукта MRF101AN
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1621
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Индуктивность 1.8MHz ~ 250MHz
- Общее сопротивление 115W
- Площадь (Д x Ш) 21.1dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ножки 133 V
- 50 V
- 100 mA