- Модель продукта GT6K2P10IH
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4075
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 670mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 1.4W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 10 nC @ 10 V
- 253 pF @ 50 V