- Модель продукта G04P10HE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 200mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 1.2W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Инвентаризация: 28096
P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Инвентаризация: 7379
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Инвентаризация: 20000
MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Инвентаризация: 5888
MOSFET P-CH 100V 6A SOT223
Инвентаризация: 27966
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Инвентаризация: 8837
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Инвентаризация: 22796
