Инвентаризация:6924

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 900mW
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.2A, 4.4A
  • Глубина 760pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 29mOhm @ 6.2A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 52890

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88

Инвентаризация: 3851

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 9479

MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP

Инвентаризация: 1990

MOSFET N-CH 60V 60A DPAK

Инвентаризация: 2238

Top