Инвентаризация:10979

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.3A
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 7.1A, 10V
  • Тип симистора 50nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC

Инвентаризация: 64175

MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

Инвентаризация: 112671

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

Инвентаризация: 19315

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 2500

MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

Инвентаризация: 4576

MOSFET N-CH 60V 60A DPAK

Инвентаризация: 2238

Top