Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta)
• Глубина 305pF @ 50V, 2100pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 4.5A, 10V, 91mOhm @ 4.5A, 10V
• Тип симистора 6.7nC @ 10V, 52nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP