Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta), 8.5A (Ta)
• Глубина 640pF @ 15V, 890pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
• Тип симистора 15.5nC @ 10V, 19.6nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP