Инвентаризация:1501

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 140A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.6mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 192W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PPAK (5.1x5.71)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 100 nC @ 10 V
  • 6000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,

Инвентаризация: 2818

MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,

Инвентаризация: 3495

MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V

Инвентаризация: 10212

N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~

Инвентаризация: 4641

MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 40000

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

Инвентаризация: 202

Top