- Модель продукта SQJQ410EL-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 8 x 8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 135A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.4mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 8 x 8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 150 nC @ 10 V
- 7350 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Инвентаризация: 45476
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Инвентаризация: 1970
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Инвентаризация: 4316
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 4161
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Инвентаризация: 0
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Инвентаризация: 2741
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Инвентаризация: 12324
