Инвентаризация:7395

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
  • Материал феррулы 44.6W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PPAK (3.05x3.08)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 20 V
  • 45 nC @ 4.5 V
  • 2790 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Инвентаризация: 75352

N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18

Инвентаризация: 217

MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK

Инвентаризация: 0

HEXFET POWER MOSFET

Инвентаризация: 10741

Top