- Модель продукта G35N02K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 20A, 4.5V
- Материал феррулы 40W (Tc)
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 24 nC @ 4.5 V
- 1380 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Инвентаризация: 0
N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Инвентаризация: 4821
MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Инвентаризация: 7500
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Инвентаризация: 1360
MOSFET N-CH 20V 30A DPAK
Инвентаризация: 4298
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Инвентаризация: 15285
