- Модель продукта GT100N12K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4000
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 35A, 10V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 50 nC @ 10 V
- 2911 pF @ 60 V