Инвентаризация:24542

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Ta), 49A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 110 nC @ 10 V
  • 7205 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 14A/24A 8DFN

Инвентаризация: 67752

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 365488

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

Top