- Модель продукта SSM6J808R,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:7483
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 2.5A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Ta)
- Барьерный тип 2V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP-F
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4V, 10V
- Шаг Количество +10V, -20V
- 40 V
- 24.2 nC @ 10 V
- 1020 pF @ 10 V
- AEC-Q101