- Модель продукта 2SK2009TE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:3352
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 200mA (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2Ohm @ 50MA, 2.5V
- Материал феррулы 200mW (Ta)
- Барьерный тип 1.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение SC-59-3
- Длина ремня 2.5V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 70 pF @ 3 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Инвентаризация: 18340
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Инвентаризация: 11216
