- Модель продукта SSM6K819R,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:10653
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 25.8mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP-F
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 8.5 nC @ 4.5 V
- 1110 pF @ 15 V
- AEC-Q101