Инвентаризация:20385

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 830mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Материал феррулы 380mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.41 nC @ 4.5 V
  • 15.6 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

Инвентаризация: 9445

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606

Инвентаризация: 9875

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

Инвентаризация: 23674

Top